常規(guī)壓控晶振VCXO與聲表面波壓控晶振VCSO |
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| 型號(hào) | 外部 尺寸 [mm] |
輸出頻率 范圍 [MHz] |
頻率溫度特征 | 輸出 | 電源 電壓 Typ.[V] |
頻率 控制范圍 [ppm] Min. |
壓控電壓 [V] |
規(guī)格書 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 頻率公差 [ppm] Max. |
工作溫度 [°C] |
||||||||
| VG7050CDN | 7.0x5.0x1.5 | 85 to 170 | ±50 |
-40 to +85 | CMOS | 3.3 | ±50 | 1.65±1.65 |  612KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG3225EFN | 3.2x2.5x1.05 | 25 to 500 | ±50 |
-40 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | 662KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG5032EFN | 5.0x3.2x1.3 | 25 to 250 | ±50 |
-40 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | 662KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG7050EFN | 7.0x5.0x1.5 | 25 to 250 | ±50 |
-40 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | 662KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG5032EDN | 5.0x3.2x1.3 | 85 to 170 | ±50 |
-40 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 | 1.65±1.65 | 375KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG3225VFN | 3.2x2.5x1.05 | 25 to 500 | ±50 |
-40 to +85 | LVDS | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | 662KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG5032VFN | 5.0x3.2x1.3 | 25 to 250 | ±50 |
-40 to +85 | LVDS | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | 662KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG7050VFN | 7.0x5.0x1.5 | 25 to 250 | ±50 |
-40 to +85 | LVDS | 3.3 | ±50 ±20 ±10 |
1.65±1.65 | 662KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG5032VDN | 5.0x3.2x1.3 | 85 to 170 | ±50 |
-40 to +85 | LVDS | 3.3 | ±50 | 1.65±1.65 | 375KB |
| ±50 | -40 to +105 | ||||||||
| VG-4231CE | 3.2x2.5x1.05 | 3 to 60 | ±30 |
-20 to +70 | CMOS | 3.3 2.5 1.8 |
±140 ±120 |
C VC=1.65 B VC=1.40 E VC=0.90 |
419KB |
| ±37 | -40 to +85 | ||||||||
| EV7050EAN | 7.0x5.0x1.6 | 600 to 1100 1200 to 2200 |
-100 to +100 | -10 to +85 | LV-PECL | 3.3 | ±50 ±30 |
1.5±1.4 | 575KB |
| -120 to +120 | -40 to +85 | ||||||||
- VCSO和VCXO是什么意思？
VCXO即：Voltage Controlled X'tal(crystal) Oscillator。中文含義是電壓控制晶體振蕩器，也簡稱為壓控晶振，其中X'tal是crystal（石英晶體）的意思。其含義是從外部輸入控制電壓，以此改變輸出頻率的石英振蕩器。
VCSO是voltage controlled SAW（surface acousto-optical wave ） oscillator。中文含義是壓控聲表面波振蕩器。主要指相對(duì)VCSO更高頻率的800MHz以上的壓控晶振。
- 為什么選擇EPSON？
隨著各種網(wǎng)絡(luò)中大容量、高速光通信的發(fā)展，傳送規(guī)格不斷增多，使得光傳送裝置※2需要應(yīng)對(duì)多種多樣的頻率。為此，顧客面臨著管理與工作量等眾多課題，例如需要在光傳送裝置中設(shè)置多只固定頻率振蕩器，或者在變更頻率之際更換振蕩器本身等。 在此，愛普生將能以100MHz以上的基波※3起振的高精度、高穩(wěn)定高頻基波模式石英晶體單元※4與應(yīng)用半導(dǎo)體技術(shù)制造的省電、低噪音"小數(shù)分頻鎖相環(huán)芯片相組合，通過適化，實(shí)現(xiàn)了低噪音、低抖動(dòng)及低電流消耗的程控鎖相環(huán)壓控晶體振蕩器。 顧客可指定壓控晶體振蕩器工廠出貨時(shí)的輸出頻率與頻率控制范圍，也可以通過I2C通信與端子設(shè)定※6自行變更輸出頻率和頻率控制范圍。這使光傳送裝置的頻率變更更為簡單，并能大幅度節(jié)省用于新頻率通信規(guī)格的光傳送裝置的開發(fā)工作量。
- 壓控晶體振蕩器使用場合
壓控振蕩器常被用在：
1、訊號(hào)產(chǎn)生器。
2、電子音樂中用來制造變調(diào)。
3、鎖相回路。
4、通訊設(shè)備中的頻率合成器等場合。當(dāng)頻率需要在小范圍內(nèi)的調(diào)整時(shí)、當(dāng)正確的頻率或相位對(duì)于振蕩器而言是十分重要時(shí)、利用不同電壓來當(dāng)作控制源的振蕩器、用來分散在某個(gè)頻率范圍內(nèi)的干擾使該頻段不受到太大的影響。
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